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MX113L
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 步进电机驱动芯片 | |
| 控制电压 | 2V~8V | |
| 输出电流 | 1A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集成开关 | 是 | |
| 导通电阻 | 430mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
该产品采用H桥电路结构设计，采用高可靠性功率管工艺，特别适合驱动线圈、马达等感性负载。电路内部集成N沟道和P沟道功率MOSFET，工作电压范围覆盖2V到8V。27°C，VCC = 5V条件下最大持续输出电流达到1A，最大峰值输出电流达到1.5A。
该单路为功率器件，本身具备一定内阻，电路的发热与负载电流、功率管导通内阻以及环境温度密切相关。电路设计有芯片级温度检测电路，实时监控芯片内部发热，当芯片内部温度超过设定值时(典型值150°C)，产生功率管关断信号，关闭负载电流，避免因异常使用导致的温度持续升高，进而造成塑料封装冒烟、起火等严重安全事故。芯片内置的温度迟滞电路，确保电路恢复到安全温度后，才允许重新对功率管进行控制。
商品特性
- 低待机电流 (小于0.1uA)
- 低导通内阻MOSFET 功率开关管采用MOS工艺设计，功率管800毫安通道功率管内阻0.43欧姆，200毫安通道功率管内阻0.36欧姆
- 内部集成续流二极管 — 无需外接续流二极管
- 超小型封装尺寸 — 采用SOT23 - 6封装，含引脚外形尺寸2.92mm*2.8mm
- 较小的输入电流 — 集成约7K对地下拉电阻，3V驱动信号平均420uA输入电流
- 内置带迟滞效应的过热保护电路 (TSD)
- 抗静电等级：3KV (HBM)
应用领域
- IR - CUT驱动
- 电动玩具
- 步进电机驱动