SIC653ACD-T1-GE3

SiC653和SiC653A是为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供高电流、高效率和高功率密度性能。SiC653和SiC653A采用威世（Vishay）专有的5 mmx5 mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达50 A的连续电流。 内部功率MOSFET采用了威世最先进的第四代TrenchFET技术，该技术提供了行业基准性能，可显著降低开关和传导损耗。 SiC653和SiC653A集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举肖特基二极管、热警告（THWn，用于提醒系统结温过高）以及零电流检测功能，以提高轻载效率。这些驱动器还与多种PWM控制器兼容，并支持三态PWM、3.3 V（SiC653A）/ 5 V（SiC653）PWM逻辑。

• 热增强型PowerPAK MLP55-31 L封装
• 威世第五代MOSFET技术以及集成肖特基二极管的低端MOSFET
• 可提供高达50 A的连续电流
• 峰值效率达95%
• 高达1.5 MHz的高频运行
• 针对12V输入级优化的功率MOSFET
• 具有三态和关断功能的3.3 V（SiC653A）/ 5 V（SiC653）PWM逻辑
• 用于提高轻载效率的零电流检测控制
• 低PWM传播延迟（<20 ns）
• 热监测标志
• 欠压锁定保护

• 用于CPU、GPU和内存的多相VRD