温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
P6006HV-JSM
2个N沟道 耐压:60V 电流:6.3A
- 描述
- 应用于电脑、DC/DC转换器的电源管理等等。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- P6006HV-JSM
- 商品编号
- C18193930
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
F7341Q是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路。
商品特性
- 60V/6.3A,RDS(ON) = 30mΩ(典型值)@VGS = 10V
- 60V/5.0A,RDS(ON) = 37mΩ(典型值)@VGS = 4.5V
- 专为极低的RDS(ON)进行超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOP8封装设计
应用领域
- 电源管理
- 便携式设备
- DC/DC转换器
- 负载开关
- 数字静态相机
- LCD显示器逆变器
相似推荐
其他推荐
- HAT2114RJ-JSM
- F7341Q-JSM
- SQ9945AEY-T1-E3-JSM
- SQ4946EY-T1-E3-JSM
- IPD50N04S4L-08-JSM
- IPD33CN10NG-JSM
- FQD24N08TM-JSM
- APM1101NUC-TRL-JSM
- NP28N10SDE-JSM
- FDS9943-NL-JSM
- STD12NE06LT4-JSM
- UPA2791GR-JSM
- FDD5612-JSM
- IPD25N06S2-40-JSM
- P4506HV-JSM
- NTR3162PT1G-JSM
- AP4800AGM-JSM
- NID9N05CLG-JSM
- LR014-JSM
- STD50N03L-JSM
- 2SK4178-E1-AY-JSM