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HAT2114RJ-JSM
2个N沟道 耐压:60V 电流:6.3A
- 描述
- 适用于DC-DC转换、低电压电源开关及负载控制应用，提供低导通电阻和出色的性能表现，是现代电子设备的理想功率管理组件。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- HAT2114RJ-JSM
- 商品编号
- C18193932
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V,5.0A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100 V，漏极电流（ID） = 36 A，当栅源电压（VGS） = 10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 20 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 封装散热性能良好
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