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STD12NE06LT4-JSM
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
- 描述
- 采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供优异的Rps(on)，可应用于多种应用领域。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- STD12NE06LT4-JSM
- 商品编号
- C18194047
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 45.3pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V，漏极电流ID = 36 A，当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 20 mΩ
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 封装散热性能良好