温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CEU16N10L-JSM
1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
- 描述
- 采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供优异的Rps(on)，可应用于多种应用领域。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- CEU16N10L-JSM
- 商品编号
- C18193893
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
相似推荐
其他推荐
- NTD24N06LG-JSM
- NP22N055SLE-E1-AY-JSM
- IPD30N06S2L-23-JSM
- FQD30N06L-JSM
- D20NF06L-JSM
- NTDV20N06LT4G-JSM
- K20S06K3L-JSM
- CED6186-JSM
- 20N06HLD-JSM
- STM6920A-JSM
- RU60D5HCGTR-JSM
- P6006HV-JSM
- HAT2114RJ-JSM
- F7341Q-JSM
- SQ9945AEY-T1-E3-JSM
- SQ4946EY-T1-E3-JSM
- IPD50N04S4L-08-JSM
- IPD33CN10NG-JSM
- FQD24N08TM-JSM
- APM1101NUC-TRL-JSM
- NP28N10SDE-JSM