温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ZXMP3A13FTA-JSM
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.3A
- 描述
- 适用于各类小型电子设备，提供高效、稳定的开关与功率转换性能。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- ZXMP3A13FTA-JSM
- 商品编号
- C18193643
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@2.5V,2.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 672pF@12V | |
| 反向传输电容(Crss) | 102pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V，漏极电流ID = 15 A，当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 100 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻RDS(ON)
- 采用散热性能良好的优秀封装
相似推荐
其他推荐
- DMP3030SN-7-JSM
- DMP2305UQ-7-JSM
- RSS065N03-TB-JSM
- DMN3030LSS-13-JSM
- IPD30N03S4L-14-JSM
- 12N03L-JSM
- NTD3055L170G-JSM
- MTD15N06V-JSM
- P0803BDG-JSM
- NTD4809NG-JSM
- AP83T03GH-HF-JSM
- 2SK4178-JSM
- STM8405-JSM
- SPD08N10-JSM
- P5806NVG-JSM
- HUF76407DK8T-JSM
- ZXMN7A11KTC-JSM
- STM4532-JSM
- SUD06N10-225L-T1-E3-JSM
- SI4412ADY-T1-E3-JSM
- IRF9410TRPBF-JSM