温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMP3030SN-7-JSM
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.3A
- 描述
- 适用于各类小型电子设备，提供高效、稳定的开关与功率转换性能。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- DMP3030SN-7-JSM
- 商品编号
- C18193644
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 672pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 102pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品概述
DMP3030SN-7是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，以及需要在超小外形表面贴装封装中实现低在线功率损耗的场景。
商品特性
- -30V / -4.3A,RDS(ON) = 44mΩ(典型值),VGS = -10V
- -30V / -3.5A,RDS(ON) = 50mΩ(典型值),VGS = -4.5V
- -30V / -2.5A,RDS(ON) = 65mΩ(典型值),VGS = -2.5V
- 针对极低\mathsfRDS(ON)的超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOT23 - 3封装设计
应用领域
-电源管理-便携式设备-DC/DC转换器-负载开关-数码相机-LCD显示器逆变器
相似推荐
其他推荐
- DMP2305UQ-7-JSM
- RSS065N03-TB-JSM
- DMN3030LSS-13-JSM
- IPD30N03S4L-14-JSM
- 12N03L-JSM
- NTD3055L170G-JSM
- MTD15N06V-JSM
- P0803BDG-JSM
- NTD4809NG-JSM
- AP83T03GH-HF-JSM
- 2SK4178-JSM
- STM8405-JSM
- SPD08N10-JSM
- P5806NVG-JSM
- HUF76407DK8T-JSM
- ZXMN7A11KTC-JSM
- STM4532-JSM
- SUD06N10-225L-T1-E3-JSM
- SI4412ADY-T1-E3-JSM
- IRF9410TRPBF-JSM
- MI4606-JSM