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DMP2305UQ-7-JSM
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.3A
- 描述
- 适用于电池保护、负载开关等应用，拥有低导通电阻和快速切换特性，为电子设备提供可靠高效的功率管理解决方案。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- DMP2305UQ-7-JSM
- 商品编号
- C18193645
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 78mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 672pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 102pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷条件下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可应用于多种领域。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V，漏极电流（ID） = 12A，当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 8mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 封装散热性能良好
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