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NTB5605PT4G-JSM

1个P沟道 耐压:60V 电流:35A

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描述
P沟道 耐压:-60V 电流:-35A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):-60V 连续漏极电流(Id):-35A 功率(Pd):110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@10V,17.5A
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
NTB5605PT4G-JSM
商品编号
C18193720
商品封装
TO-263-2L​
包装方式
编带
商品毛重
1.64克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)35A
导通电阻(RDS(on))55mΩ@10V,17.5A
耗散功率(Pd)110W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)40nC@10V
输入电容(Ciss)1.489nF
反向传输电容(Crss)80pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)280pF

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