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SSF3341-JSM
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.3A
- 描述
- 电池管理系统、电源开关及高效能电子设备设计，具有卓越的低导通电阻和快速开关性能，确保在各种应用场合下实现稳定高效的功率转换与控制。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- SSF3341-JSM
- 商品编号
- C18193384
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@2.5V,2.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 672pF@12V | |
| 反向传输电容(Crss) | 102pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SSF3341是采用高单元密度先进沟槽技术生产的P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于需要低电压应用和极低在线功耗的超小外形表面贴装封装。
商品特性
- -30V/-4.3A，漏源导通电阻RDS(ON) = 44mΩ（典型值），栅源电压VGS = -10V时
- -30V/-3.5A，漏源导通电阻RDS(ON) = 50mΩ（典型值），栅源电压VGS = -4.5V时
- -30V/-2.5A，漏源导通电阻RDS(ON) = 65mΩ（典型值），栅源电压VGS = -2.5V时
- 针对极低漏源导通电阻RDS(ON)的超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOT23-3封装设计
应用领域
- 电源管理
- 便携式设备
- DC/DC转换器
- 负载开关
- 数码相机
- LCD显示器逆变器
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