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DMC3028LSD-13-JSM
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:8A
- 描述
- 适用于高效率电源转换和负载开关应用，紧凑结构与强大性能结合，提供卓越的双通道功率控制解决方案。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- DMC3028LSD-13-JSM
- 商品编号
- C18193404
- 商品封装
- SOP-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 760pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
DMC3028采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的漏源导通电阻和低栅极电荷。互补MOSFET可用于逆变器和其他应用。
商品特性
- N沟道
- VDS(V) = 30V
- ID = 8.0A (VGS = 10V)
- RDS(ON) = 18mΩ (VGS = 10V)
- RDS(ON) = 25mΩ (VGS = 4.5V)
- P沟道
- VDS = -30V
- ID = -8.0A (VGS = -10V)
- RDS(ON) = 36mΩ (VGS = -10V)
- RDS(ON) = 48mΩ (VGS = -4.5V)
- 100%进行UIS测试
- 100%进行Rg测试
- SOP-8L封装
- ESD等级——HBM1b,MSL等级——MSL 2级
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