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MDS9651URH-JSM
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:7A
- 描述
- 适合电池管理系统、AC/DC转换及各类消费电子产品。集成双极性通道，提供优越的开关特性和低导通电阻，确保在正负电压下稳定工作，提升系统效能与节能表现。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- MDS9651URH-JSM
- 商品编号
- C18193403
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
FDN360P-NL是采用高单元密度先进沟槽技术生产的P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于需要低电压应用且采用超小外形表面贴装封装以降低在线功率损耗的场景。
商品特性
- N沟道
- VDS = 40V,ID = 8.0A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 22mΩ
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 31mΩ
- P沟道
- VDS = -40V,ID = -7.0A
- 当VGS = -10V时,RDS(ON) < 35mΩ
- 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 48mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
应用领域
- 电源管理-便携式设备-DC/DC转换器-负载开关-数码相机-LCD显示器逆变器
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