温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STD30NE06LT4-JSM
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
- 描述
- 专为中高压环境下消费电子设备的电源管理而设计，实现高效、稳定的开关控制，是优化系统性能的理想半导体元件。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- STD30NE06LT4-JSM
- 商品编号
- C18193184
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
STS7C4F30L采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，以及其他多种应用。
商品特性
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
相似推荐
其他推荐