温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN3051L-7-F-JSM
1个N沟道 耐压:30V 电流:6A
- 描述
- 适用于各类中低电压、高效率开关应用。卓越的导通性能与低RDS(ON)，使之成为充电器、LED驱动、DC/DC转换等领域的理想选择。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- DMN3051L-7-F-JSM
- 商品编号
- C18193221
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V,4.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | - |
商品概述
BM2301 是一款采用高单元密度先进沟槽技术制造的 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 这种高密度制程专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，以及需要在超小外形尺寸表面贴装封装中实现低在线功率损耗的场景。
商品特性
- -20V/-4.3A，RDS(ON) = 30mΩ（典型值）@VGS = -4.5V
- -20V/-3.5A，RDS(ON) = 40mΩ（典型值）@VGS = -2.5V
- -20V/-2.0A，RDS(ON) = 56mΩ（典型值）@VGS = -1.8V
- -20V/-1.0A，RDS(ON) = 85mΩ（典型值）@VGS = -1.5V
- 专为极低的 RDS(ON) 进行超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力
- 完全符合 RoHS 标准
- SOT23 - 3 封装设计
- P 沟道
应用领域
- 电源管理-便携式设备-DC/DC 转换器-负载开关-数码相机-LCD 显示器逆变器
相似推荐
其他推荐