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SI4812BDY-T1-E3-JSM
1个N沟道 耐压:30V 电流:18A
- 描述
- 便携式设备，使用高电池密度，先进的沟槽技术，适合于低压应用以及低在线功率损耗
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- SI4812BDY-T1-E3-JSM
- 商品编号
- C18193250
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 81.6nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.72nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 423pF | |
| 工作温度 | - |
商品概述
S4606ZA采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 互补MOSFET可用于构成电平转换的高端开关，以及其他多种应用。
商品特性
- 30V/18A,RDS(ON) = 4.5mΩ(典型值)@VGS = 10V
- 30V/15A,RDS(ON) = 6.0mΩ(典型值)@VGS = 4.5V
- 专为极低RDS(ON)设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOP8封装设计
- 100%进行UIS测试
- 100%进行Rg测试
应用领域
- 电源管理
- 便携式设备
- DC/DC转换器
- 负载开关
- 数码相机
- LCD显示器逆变器