SI2311DS-T1-GE3-JSM

SI2311DS-T1-GE3是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，并且在超小外形的表面贴装封装中需要低在线功率损耗的场景。

• -20V / -4.3A，栅源电压 (VGS) = -4.5V 时，漏源导通电阻 (RDS(ON)) = 30mΩ（典型值）
• -20V / -3.5A，栅源电压 (VGS) = -2.5V 时，漏源导通电阻 (RDS(ON)) = 40mΩ（典型值）
• -20V / -2.0A，栅源电压 (VGS) = -1.8V 时，漏源导通电阻 (RDS(ON)) = 56mΩ（典型值）
• -20V / -1.0A，栅源电压 (VGS) = -1.5V 时，漏源导通电阻 (RDS(ON)) = 85mΩ（典型值）
• 专为极低的漏源导通电阻 (RDS(ON)) 设计
• 出色的导通电阻和最大直流电流能力
• 完全符合 RoHS 标准
• SOT23-3 封装设计
• P沟道

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