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ZXM61N03FTA-JSM
1个N沟道 耐压:30V 电流:6A
- 描述
- 适用于DC-DC转换、低电压电源开关及负载控制应用，提供低导通电阻和出色的性能表现，是现代电子设备的理想功率管理组件。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- ZXM61N03FTA-JSM
- 商品编号
- C18192056
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
IRF7389TRPBF采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，并适用于许多其他应用。
商品特性
- N沟道
- 漏源电压VDS = 40V，漏极电流ID = 8.0A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 22 mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 31 mΩ
- P沟道
- 漏源电压VDS = -40V，漏极电流ID = -7.0A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 35 mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 48 mΩ
- 具备高功率和高电流处理能力
- 产品无铅
- 采用表面贴装封装
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