615N-JSM
2个N沟道 耐压:60V 电流:5A
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- 描述
- 适用于高效率电源转换和负载开关应用，紧凑结构与强大性能结合，提供卓越的双通道功率控制解决方案。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- 615N-JSM
- 商品编号
- C18192068
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
NTR1P02LT1G是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专为最小化导通电阻而设计。这些器件特别适用于低压应用，并且在超小外形的表面贴装封装中需要低在线功率损耗的场景。
商品特性
- 60V/6.3A,RDS(ON) = 30mΩ(典型值)@VGS = 10V
- 60V/5.0A,RDS(ON) = 37mΩ(典型值)@VGS = 4.5V
- 专为极低的 RDS(ON) 进行超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合 RoHS 标准
- SOP8 封装设计
应用领域
- 电源管理
- 便携式设备
- DC/DC 转换器
- 负载开关
- 数码相机
- LCD 显示器逆变器
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