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FDV301N-JSM
1个N沟道 耐压:25V 电流:0.22A
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- 描述
- 适用于电池保护、负载开关及电源管理等领域。其优越的导通电阻和快速切换性能确保了在低压电路中的出色能效与稳定性。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- FDV301N-JSM
- 商品编号
- C18190755
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 220mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@2.7V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 9.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻（RDS(on)），适用于多种应用场景。
商品特性
- 0.22 A,25 V
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 4Ω
- 在VGS = 2.7V时,RDS(ON) = 5Ω
- 栅极驱动要求极低,允许在3V电路中直接工作。VGS(th) < 1.5V
- 栅源极齐纳二极管,具备出色的静电放电(ESD)耐受性。人体模型(HBM)>6kV
- 可用一个DMOSFET替代多个NPN数字晶体管