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FQD11P06TM-JSM
1个P沟道 耐压:60V 电流:20A
- 描述
- 应用于便携式设备负载开关。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- FQD11P06TM-JSM
- 商品编号
- C18190762
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.86nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.44nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 97pF |
商品概述
FDS8333C采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，以及众多其他应用。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -60 V,漏极电流(ID) = -20 A,在栅源电压(VGS) = -10 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 68 mΩ
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))。
- 出色的封装,散热性能良好。