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FDN306P-JSM
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.2A
- 描述
- 适用于电池管理，高速开关，低功率 DC-DC 转换。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- FDN306P-JSM
- 商品编号
- C18190695
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 989pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75.5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 167pF |
商品概述
DMG3415U - 7是采用高单元密度先进沟槽技术生产的P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于需要低电压应用和极低在线功耗的超小型表面贴装封装场景。
商品特性
- -20V/-4.3A,RDS(ON) = 30mΩ(典型值)@VGS = -4.5V
- -20V/-3.5A,RDS(ON) = 40mΩ(典型值)@VGS = -2.5V
- -20V/-2.0A,RDS(ON) = 56mΩ(典型值)@VGS = -1.8V
- -20V/-1.0A,RDS(ON) = 85mΩ(典型值)@VGS = -1.5V
- 为极低的RDS(ON)进行超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOT23-3封装设计
- P沟道
应用领域
-电源管理-便携式设备-DC/DC转换器-负载开关-数码相机-LCD显示器逆变器