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LT1158ISW
半桥式 N 沟道功率 MOSFET 驱动器
- 描述
- 一个输入引脚同步控制图腾柱配置中的两个N沟道功率MOSFET。独特的自适应保护功能可防止直通电流，消除了两个MOSFET的匹配要求，大大简化了高效电机控制和开关调节器系统的设计。连续电流限制环路可调节顶部功率MOSFET中的短路电流，只要MOSFET的VDS不超过1.2V，就允许更高的启动电流。通过将故障输出返回到使能输入，在发生故障时将自动关闭，并在内部上拉电流对使能电容重新充电时重试。片上电荷泵在需要时开启，以连续导通顶部N沟道MOSFET。特殊电路确保在PWM和直流操作之间的转换过程中，顶部栅极驱动能安全维持。在较高电源电压下工作时，栅源电压内部限制为14.5V。
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- LT1158ISW
- 商品编号
- C18167366
- 商品封装
- SOIC-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.376958克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 工作电压 | 5V~30V | |
| 上升时间(tr) | 130ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 120ns | |
| 传播延迟 tpHL | 350ns | |
| 特性 | 过流保护(OCP) | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 800mV~2V | |
| 静态电流(Iq) | 2.2mA |
商品概述
LT1158上的单个输入引脚以图腾柱配置同步控制两个N沟道功率MOSFET。独特的自适应直通电流保护消除了两个MOSFET的所有匹配要求。这大大简化了高效电机控制和开关稳压器系统的设计。 LT1158中的连续电流限制环路可调节顶部功率MOSFET中的短路电流。只要MOSFET的VDS不超过1.2V，就允许更高的启动电流。通过将FAULT输出端连接到使能输入端，LT1158在发生故障时将自动关闭，并在内部上拉电流对使能电容重新充电后重试。 片上电荷泵在需要时开启，以持续导通顶部N沟道MOSFET。特殊电路确保在PWM和直流操作之间的转换过程中，顶部栅极驱动能安全维持。在较高电源电压下工作时，栅源电压内部限制在14.5V。
商品特性
- 驱动顶部MOSFET的栅极电压高于V+
- 工作电源电压范围为5V至30V
- 驱动3000pF负载时的转换时间为150ns
- 峰值驱动电流超过500mA
- 自适应非重叠栅极驱动
- 连续电流限制保护
- 自动关闭和重试功能
- 用于直流操作的内部电荷泵
- 内置栅极电压保护
- 与电流感应MOSFET兼容
- TTL/CMOS输入电平
- 故障输出指示
应用领域
- 大电流感性负载的PWM控制
- 半桥和全桥电机控制
- 同步降压开关稳压器
- 三相无刷电机驱动
- 大电流传感器驱动器
- 电池供电的逻辑电平MOSFET