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CEZ3P08
1个P沟道 耐压:30V 电流:21A
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- 描述
- P沟道,-30V,-61A
- 品牌名称
- CET(华瑞)
- 商品型号
- CEZ3P08
- 商品编号
- C180874
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.131克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 61A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 54.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.165nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 365pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 475pF |
商品特性
- -30V、-61A，在VGS = -10V时，RDS(ON) = 9 mΩ
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) = 13 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
- 无铅电镀；符合RoHS标准
- 表面贴装封装