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BSS84AKS,115实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSS84AKS,115

2个P沟道 耐压:50V 电流:160mA

描述
采用沟槽MOSFET技术的双P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用超小型SOT363(SC - 88)封装。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
BSS84AKS,115
商品编号
C179346
商品封装
TSSOP-6(SOT-363)​
包装方式
编带
商品毛重
0.022克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个P沟道
漏源电压(Vdss)50V
连续漏极电流(Id)160mA
导通电阻(RDS(on))7.5Ω@10V
耗散功率(Pd)280mW
阈值电压(Vgs(th))2.1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)350pC@5V
输入电容(Ciss)36pF
反向传输电容(Crss)1.3pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)-

商品概述

采用沟槽MOSFET技术、采用超小型SOT363(SC-88)封装的双P沟道增强型场效应晶体管(FET)。

商品特性

  • 逻辑电平兼容
  • 高达1 kV的ESD保护
  • 超快开关速度
  • 通过AEC-Q101认证
  • 沟槽MOSFET技术

应用领域

  • 继电器驱动器
  • 高端负载开关
  • 高速线路驱动器
  • 开关电路

数据手册PDF