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AON3419-MS
1个P沟道 耐压:30V 电流:32A
- 描述
- AON3419-MS采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合大电流负载应用。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- AON3419-MS
- 商品编号
- C17702937
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0544克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.57W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 全桥 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 194pF |
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