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AON3611-MS
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:16A
- 描述
- AON3611-MS采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- AON3611-MS
- 商品编号
- C17702947
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0538克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 10.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@6A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
AON6312-MS采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低至4.5V栅极电压下的工作能力。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V, ID = 150 A
- RDS(ON) < 2.4 mΩ, VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源