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AON6360-MS
1个N沟道 耐压:30V 电流:120A
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- 描述
- AON6360-MS采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并且能够在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- AON6360-MS
- 商品编号
- C17702952
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.150224克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
商品概述
第三代HEXFET为设计人员提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 TO-220-3L封装在功率耗散水平约为50瓦的所有商业和工业应用中普遍受到青睐。TO-220-3L的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 120 A
- RDS(ON) < 4.4mΩ,VGS = 10V
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源