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IRF640
1个N沟道 耐压:200V 电流:18A
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- 描述
- 1个N沟道 耐压:200V 电流:18A适用于电源开关和信号控制
- 品牌名称
- GOODWORK(固得沃克)
- 商品型号
- IRF640
- 商品编号
- C17702911
- 商品封装
- TO-220-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.892克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品概述
第三代HEXFET为设计人员提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 TO-220-3L封装在功率耗散水平约为50瓦的所有商业和工业应用中普遍受到青睐。TO-220-3L的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。
商品特性
-重复雪崩额定值-快速开关-易于并联-驱动要求简单
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源