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IPTC017N12NM6ATMA1
OptiMOs 6功率晶体管，120V
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- 描述
- 特性：N沟道，正常电平。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低的反向恢复电荷Qrr。 高雪崩能量额定值。 175°C工作温度。 针对高频开关和顶部散热进行了优化。 无铅镀层；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 根据J-STD-020标准归类为MSL 1
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPTC017N12NM6ATMA1
- 商品编号
- C17701797
- 商品封装
- HDSOP-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 331A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.48mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 395W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 113nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.4nF |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个1000个/圆盘
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