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MDT13N10D
1个N沟道 耐压:100V 电流:13A
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- 描述
- MDT13N10D采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MDT13N10D
- 商品编号
- C17701852
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4566克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品特性
- 1200V、4A，RDS(ON)（典型值）= 2.9Ω（VGS = 10V时）
- 低导通电阻
- 快速开关
- 低栅极电荷
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 不间断电源（UPS）
- 高效开关模式电源
- 基于半桥的电子灯镇流器
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