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IPD079N06L3GBTMA1
N沟道 耐压:60V 电流:50A
- 描述
- 特性：适用于高频开关和同步整流。 针对DC/DC转换器进行了技术优化。 具有出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积（FOM）。 N沟道，逻辑电平。 经过100%雪崩测试。 无铅电镀，符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD079N06L3GBTMA1
- 商品编号
- C17702122
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.463333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.3mΩ@10V；9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 79W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@34uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 690pF |