温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
KCM3560A
1个N沟道 耐压:20V 电流:60A 停产
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道，600V，76A
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KCM3560A
- 商品编号
- C176900
- 商品封装
- TO-247AC-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 379W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 4.4nF |
商品概述
这款高压MOSFET采用先进的终端设计方案，在不随时间降低性能的情况下，增强了耐压能力。此外，这款先进的MOSFET设计用于承受雪崩和换向模式下的高能量。全新的节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。这些器件专为电源、转换器和PWM电机控制中的高压、高速开关应用而设计，尤其适用于对二极管速度和换向安全工作区要求苛刻的桥式电路，并且能针对意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
~~- 坚固的高压终端设计-规定雪崩能量-源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当-二极管适用于桥式电路-规定高温下的IDSS和VDS(ON)-隔离安装孔减少安装硬件