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KCM9860A
1个N沟道 耐压:20V 电流:47A 停产
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- 描述
- N沟道，600V，47A
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KCM9860A
- 商品编号
- C176896
- 商品封装
- TO-247AC-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 47A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 87.967nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 2.3991nF |
商品概述
这款高压MOSFET采用先进的终端结构，可在不随时间降低性能的情况下增强耐压能力。此外，这款先进的MOSFET设计用于承受雪崩和换向模式下的高能量。全新的节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。这些器件专为电源、转换器和PWM电机控制中的高压、高速开关应用而设计，特别适用于对二极管速度和换向安全工作区要求严格的桥式电路，并能针对意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- 坚固的高压终端结构
- 规定雪崩能量
- 源漏二极管恢复时间与分立快恢复二极管相当
- 二极管适用于桥式电路
- 规定高温下的IDSS和VDS(ON)
- 隔离安装孔减少安装硬件