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KIA6035AD
1个N沟道 耐压:350V 电流:11A
- 描述
- N沟道，350V，11A
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KIA6035AD
- 商品编号
- C176892
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.453克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 350V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 480mΩ@10V,4.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 99W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 844pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 162pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS技术制造。该先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- RDS(ON) = 0.38 Ω @ VGS = 10 V
- 低栅极电荷（典型值15nC）
- 高耐用性
- 快速开关能力
- 规定了雪崩能量
- 改善了dv/dt能力
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