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KND7610A
1个N沟道 耐压:100V 电流:25A
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- 描述
- N沟道，100V，25A
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KND7610A
- 商品编号
- C176887
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.453克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 255pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 450pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
KNX7610A采用沟槽处理技术设计,实现了极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特性相结合,使该设计成为用于DC-DC转换器、离线式UPS及各种其他应用的高效可靠器件。
商品特性
- 导通电阻(典型值) = 32 mΩ,栅源电压 = 10 V
- 低导通电阻
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 允许在最高结温下进行重复雪崩
- 无铅,符合RoHS标准