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KIA13N50HB
停产 1个N沟道 耐压:500V 电流:13A
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- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KIA13N50HB
- 商品编号
- C176870
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 480mΩ@10V,6.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 195W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
KIA13N50H N沟道增强型硅栅功率MOSFET专为高压、高速功率开关应用而设计，如高效开关模式电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
商品特性
- 在VGS = 10 V时，RDS(导通) = 0.4 Ω
- 低栅极电荷（典型值45nC）
- 快速开关能力
- 规定了雪崩能量
- 改善了dv/dt能力