- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMP2110UVT-7
2个P沟道 耐压:20V 电流:1.8A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP2110UVT-7
- 商品编号
- C17695746
- 商品封装
- TSOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 740mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 443pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 59pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻 RDS(ON) 降至最低,同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 符合汽车级标准
- 低导通电阻
- 栅极具备ESD保护齐纳二极管
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS指令
- 漏源击穿电压（VDSS）275 V（漏极电流ID = 100 μA）
- 漏极电流（ID） -±6A
- 导通电阻RDS(ON) - 最大0.26Ω（漏极电流ID = 6A，栅源电压VGS = 10V）
- 反向恢复时间trr 117 ns（典型值）
应用领域
- 通用接口开关
- 电源管理功能
- IXA20PG1200DHG-TRR
- PROFETMOTHERBRDTOBO1
- 5500R-472K
- GP55-5231-FTW
- SG-8018CA 39.3216M-TJHPA0
- 7936-09MMK2A
- S518025T-10.000-R
- MAX77734EVKIT#
- MX6AWT-H1-R250-0007F7
- 630-17W2240-2NC
- C3290-16.000
- 140354245100
- CAPB18-002
- HCNW4562
- 174-E09-113R461
- SIT8208AI-8F-18E-77.760000X
- RCS1608J8R2CS
- HCM1A2213V2-470-R
- AD8347-EVALZ
- XPLAWT-H0-0000-000HU60F8
- SG-8101CG 31.7000M-TCHPA0