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DMN2022UNS-13
2个N沟道 耐压:20V 电流:10.7A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2022UNS-13
- 商品编号
- C17698112
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.87nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 320pF |
商品概述
该器件在双MLP封装中集成了两个专用N沟道MOSFET。开关节点已实现内部连接，便于同步降压转换器的布局和布线。控制MOSFET（Q1）和同步MOSFET（Q2）的设计旨在实现最佳功率效率。
商品特性
- Q1：N沟道
- VGS = 10 V、ID = 11.5 A时，最大rDS(on) = 12.0 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 10 A时，最大rDS(on) = 16.4 mΩ
- Q2：N沟道
- VGS = 10 V、ID = 12 A时，最大rDS(on) = 11.6 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 9.5 A时，最大rDS(on) = 17.2 mΩ
- 符合RoHS标准
应用领域
- 计算机领域
- 通信领域
- 通用负载点应用
- 笔记本电脑充电器
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