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DMTH61M5SPSWQ-13实物图
  • DMTH61M5SPSWQ-13商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMTH61M5SPSWQ-13

1个N沟道 耐压:60V 电流:225A

品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMTH61M5SPSWQ-13
商品编号
C17699073
商品封装
PowerDI5060-8(SWP)​
包装方式
编带
商品毛重
0.171克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)225A
导通电阻(RDS(on))1.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)167W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)130.6nC@10V
输入电容(Ciss)8.306nF
反向传输电容(Crss)184pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)2.735nF

商品概述

AGM655D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,以提供极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

商品特性

  • 先进的高单元密度沟槽技术
  • 低RDS(ON),以最大限度降低传导损耗
  • 低栅极电荷,实现快速开关
  • 低热阻
  • 100%雪崩测试
  • 100% DVDS测试

应用领域

  • MB/VGA Vcore
  • 开关电源二次侧同步整流器
  • 负载点(POL)应用
  • 无刷直流(BLDC)电机驱动器

数据手册PDF