ALD1102APAL
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270Ω@5V,0.1V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@10uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 低导通电阻
- 小型表面贴装封装 (SOP8)
- 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 100% 镀锡
- 通过 AEC-Q101 认证
应用领域
- 开关应用
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