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KIA30N03BD
停产 1个N沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KIA30N03BD
- 商品编号
- C176856
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.453克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 572pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 81pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
KIA30N03B是高性能沟槽N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。KIA30N03B符合RoHS和绿色产品要求,100%保证耐雪崩能力(EAS),并通过全功能可靠性认证。
商品特性
- 在VDS = 30 V时,导通电阻(RDS(on)) = 15 mΩ
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的Cdv/dt效应抑制
- 100%保证耐雪崩能力(EAS)
- 有绿色环保器件可选
应用领域
- 用于移动电脑(MB)、笔记本电脑(NB)、超便携电脑(UMPC)、显卡(VGA)的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关