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KIA7N60UF
停产 1个N沟道 耐压:600V 电流:7A
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- 描述
- 该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术制造。该先进技术经过特别定制，可最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KIA7N60UF
- 商品编号
- C176853
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.85克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |