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KNF4660A
1个N沟道 耐压:600V 电流:7A
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- 描述
- N沟道,600V,7A,1Ω@10V
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KNF4660A
- 商品编号
- C176850
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 2.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.25Ω@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
KNX4660A通道增强型硅栅功率MOSFET专为高压、高速功率开关应用而设计，如高效开关模式电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
商品特性
- 符合ROHS标准
- RDS(ON)，典型值 = 1.0 Ω（VGS = 10 V时）
- 低栅极电荷，可将开关损耗降至最低
- 快速恢复体二极管
应用领域
- 适配器
- 充电器
- 开关电源待机电源