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KIA7306AE
停产 1个N沟道 耐压:60V 电流:22A
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- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KIA7306AE
- 商品编号
- C176844
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.006nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 222pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 320pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
高单元密度沟槽式N沟道MOSFET可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。符合RoHS标准和绿色产品要求。
商品特性
- 当VGS = 10 V时,导通电阻(RDS(on))典型值为5.5 mΩ
- 超低栅极电荷
- 提供绿色环保器件
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术