- 引脚图
- 焊盘图
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VOM618AT
DC 3.75kV
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- 描述
- 额定温度为110°C的VOM618A采用了砷化镓（GaAs）红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用4引脚、引脚间距为100密耳的微型扁平封装。其特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- VOM618AT
- 商品编号
- C17689881
- 商品封装
- SOP-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 输出类型 | 光电三极管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.1V | |
| 输出电流 | 50mA | |
| 隔离电压(Vrms) | 3.75kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V | |
| 负载电压 | 80V | |
| 输出通道数 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 120mV@1mA,0.25mA | |
| 上升时间(tr) | 5us | |
| 下降时间 | 4us | |
| 工作温度 | -55℃~+110℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 50% | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | 600% | |
| 总功耗(Pd) | 170mW | |
| 正向电流(If) | 60mA | |
| 功能特性 | - |
商品概述
额定温度为110℃的VOM618A采用了砷化镓（GaAs）红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用4引脚、引脚间距为100mil的微型扁平封装。它具有在低输入电流下实现高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。 这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
商品特性
- 工作温度范围：-55℃至+110℃
- SOP - 4微型扁平无铅封装
- 电流传输比（CTR）范围：40%至600%，IF = 1 mA
- 隔离测试电压：3750 VRMS
- 低饱和电压，符合RoHS标准
- 快速开关时间，环保型
- 低耦合电容（5 - 2008）
- 可端部堆叠，间距为0.100英寸（2.54mm）
应用领域
- 可编程逻辑控制器（PLCs）
- 电信
- 照明控制系统
- 太阳能逆变器
- 交流驱动器
- 1715960003
- SI823H7BD-IS3R
- LRW0603WKR12GG001E
- JFE2140EVM
- 628-037-321-073
- 628-8W8-624-5N2
- XPGBWT-01-R250-00EE7
- P1330R-824K
- XMLBWT-02-0000-000BT50E5
- SI5344-D-EVB
- TEM-125-02-04.0-H-D-TR
- 7-104910-1
- SG-8018CE 15.7500M-TJHPA0
- IPL1-108-02-L-SH-K
- 1-2324245-6
- PE60MEFJW503MA
- SIT8208AC-3F-18S-8.192000Y
- 0917801001
- SIT8208AI-GF-18E-4.096000X
- 0015800363
- SG-8018CB 18.0000M-TJHSA0