- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VO222AT
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 输出类型 | 光电三极管 | |
| 正向压降(Vf) | 1V | |
| 输出电流 | 50mA | |
| 隔离电压(Vrms) | 4kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V | |
| 负载电压 | 30V | |
| 输出通道数 | 1 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 3us | |
| 下降时间 | 3us | |
| 工作温度 | -40℃~+100℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 200% | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | - | |
| 总功耗(Pd) | 240mW | |
| 正向电流(If) | 60mA | |
| 功能特性 | 达林顿输出结构 |
商品概述
VO221AT、VO222AT、VO223AT 是高电流传输比（CTR）光耦合器，采用砷化镓红外 LED 发射器和硅 NPN 光电达林顿晶体管探测器。 该器件在 1 mA 的 LED 电流下测试 CTR。这种低驱动电流便于实现从 CMOS 到 LSTTL 或 TTL 的轻松接口。
商品特性
- 隔离测试电压：4000 VRMS
- 627-36W4224-2T5
- D01-9902001
- XPZ3LUR11D
- GCM1885C1H4R6BA16J
- GS21-111-15-00-0000-00
- IGW40N60H3FKSA1
- P3519R-563K
- SIT8208AI-GF-25S-16.367667X
- SG-8018CB 14.5920M-TJHPA0
- SG-8018CG 11.1550M-TJHPA0
- NTC0805J4K7
- 630-27W2640-7N6
- SH260T-4.9-23
- 2-2355091-2
- GCM2195C1H112FA16D
- BPSC00070745221M00
- SG-8018CB 44.3070M-TJHSA0
- 627-037-281-056
- ATP15-4PA-BM04
- SG-8018CB 26.5971M-TJHSA0
- SIT8208AC-GF-33E-33.330000X