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AOTF4N60
1个N沟道 耐压:600V 电流:4A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOTF4N60
- 商品编号
- C176763
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 615pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.3pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品概述
AOT4N60、AOTF4N60 和 AOTF4N60L 采用先进的高压 MOSFET 工艺制造，旨在为常见的 AC-DC 应用提供高性能和高可靠性。 这些产品具备低导通电阻（RDS(on)）、低输入电容（Ciss）和低反向传输电容（Crss），并保证了雪崩能力，可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。