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AOD5B65M1
650V、5A IGBT，内置软恢复、快速恢复的反并联二极管
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- 描述
- 最新的AlphaIGBT（α IGBT）技术。击穿电压650V。续流二极管恢复速度极快且特性柔和
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOD5B65M1
- 商品编号
- C176752
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.483克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 10A | |
| 耗散功率(Pd) | 28W | |
| 输出电容(Coes) | 36pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 15A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.98V@5A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.1V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 8.5ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 106ns | |
| 导通损耗(Eon) | 80uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 70uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 195ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 反向传输电容(Cres) | 13pF |