商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 200mV | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | 18mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+135℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| FET类型 | N沟道 |
- 3136-2-00-21-00-00-08-0
- SIT9120AC-2D2-33E100.000000
- SIT8208AI-22-33S-33.330000
- SIT8208AC-G2-25S-20.000000Y
- 638-078-231-058
- QSFP-40G-PLR4-P-C
- 531AC156M254DGR
- 25QHM572C0.125-166.000
- 25QHM572C2.0-128.000
- MS3437B22A
- 2035580207
- 637L8005C3T
- S33305T-25.000-R
- SIT1602AC-81-33S-48.000000
- L9737TR
- SG-8018CA 12.988830M-TJHSA0
- TT7-4.7KC3-4
- SIT1602BC-73-33S-19.200000
- 1-6609101-3
- EMD4E001G16G2-150CAS2
- SIT8208AC-G1-25E-24.000000Y